10納米級DRAM先進制程競爭逐漸升溫,三星電子在2017年率先宣布量產第二代10納米(1y)制程DRAM,目前傳出進入第三代10納米(1z)制程開發。SK海力士(SK Hynix)和美光(Micron)也在不斷加速先進制程研發速度,追趕三星,預計2019年起將陸續展開第二代10納米(1y)制程DRAM量產。
據韓媒News 1的報導,SK海力士預計2018年底前,完成第二代10納米(1y)制程開發,2019年起投入1y納米制程DRAM量產。目前SK海力士大陸無錫廠,正在進行無塵室擴建工程,預計2018年底完工后,就可開始建立1y納米制程量產體系。
SK海力士從2018年起正式投入第一代10納米(1x)制程量產,上半年1x納米DRAM制程比重占所有DRAM產品的20%以上。業界認為SK海力士10納米級DRAM制程比重,在2019年的比重將超過半數。
美光也傳出將從2018年底左右導入1y納米制程量產。美光2018年初已開始量產1x納米制程DRAM,年底可望進入1y納米制程初步生產階段,2019年正式量產1y納米制程DRAM,2020年計劃進入1z納米制程。
業界認為,從20納米進入1x制程已相當不容易,接下來的10納米級1y及1z制程就更為困難,如何在轉換至更先進制程的同時確保量產效率,成為關鍵。
面對SK海力士及美光在10納米級DRAM制程上的全速追趕,DRAM龍頭三星,正全力拉大與追兵的領先差距。2017年11月三星率先宣布量產1y納米制程的服務器DRAM,2018年7月又將1y納米制程用于Mobile DRAM。
三星相關人士表示,2018年底三星10納米級DRAM產品比重,將占全體DRAM產品的70%以上,以投入晶圓為基準,目前10納米1x制程比重已經超過一半,三星掌握市場主導權,領先競爭對手1年左右,預計2019年可完成第三代10納米(1z)制程開發。
此外,10納米以下的次世代DRAM,三星計劃導入極紫外光(EUV)設備制程。稍早2018年2月起,三星平澤廠,已開始著手建立EUV專用生產線,以目前施工進度來看,最快2019年上半,就可陸續移入生產設備,并且可望于2019下半年或2020年初進入試產階段。
另一方面,DRAM市場最近不斷傳出負面看法,加上中美貿易戰不斷擴大戰火,DRAM市場前景籠罩不安,再加上Q4是傳統的淡季,未來價格持續走跌的可能性相當大。此外,三星及SK海力士也曾預測,認為2018年Q4至2019上半年,DRAM市場需求的成長走勢將出現鈍化。